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鳳凰娱乐场送20彩金 中国31城市集成电路流片支持政策大全

2020-01-09 12:48:46
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鳳凰娱乐场送20彩金 中国31城市集成电路流片支持政策大全

鳳凰娱乐场送20彩金,2014年6月,国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》。《纲要》部署充分发挥国内市场优势,营造良好发展环境,激发企业活力和创造力,带动产业链协同可持续发展,加快追赶和超越的步伐,努力实现集成电路产业跨越式发展。

《纲要》的主要任务和发展重点是:着力发展集成电路设计业;加速发展集成电路制造业;提升先进封装测试业发展水平;突破集成电路关键装备和材料。

在《纲要》的推动下,国内各大城市纷纷全面布署集成电路产业,并纷纷制定各种集成电路产业扶持政策。各地政策中都有专门条款针对流片进行支持。

芯思想研究院对我国32个城市的集成电路产业发展支持政策进行了整理和分析,除了济南外,其他31个城市的集成电路多项目晶圆(mpw)和全掩模流片(full mask)给予一定比例的资金支持。

2016年12月北京中关村国家自主创新示范区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

支持集成电路设计企业加大新产品研发力度。重点支持集成电路设计企业流片和掩模版制作。对开展工程产品首轮流片的集成电路设计企业,按照该款产品首轮流片合同金额的20%或掩模板制作合同金额的20%予以研发资金支持。且合同须已执行。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

2017年11月上海市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对经过全掩模流片,以及首次与本市集成电路制造企业签订流片合同,利用其生产线实现线宽在45纳米及以下工程产品流片的设计企业,给予不超过产品流片费用(流片费包括:ip授权费、掩模版费、测试化验加工费)的30%的资金支持。

单一企业年度支持总额最高不超过1500万元。

3.1滨海新区

2014年2月天津滨海新区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对集成电路设计企业使用本市代工企业进行ip验证、研发流片等的给予合同额10%的资金支持。

单一企业年度支持总额最高不超过100万元。

3.2西青区

2019年1月天津西青区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对集成电路设计企业参加多项目晶圆项目,按照直接费用的80%给予支持;对设计企业掩模制作费用,按照直接费用的40%给予支持;对设计企业工程片、试流片加工费用的40%给予支持。三项支持合计计算。

单一企业年度支持总额最高不超过600万元。

2018年8月重庆市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对使用多项目晶圆流片进行研发的企业,按照多项目晶圆(mpw)流片费50%的比例给予资金支持。

单一企业年度支持总额最高不超过100万元。

对实际到位投资2000万元以上的集成电路设计企业,按照其每款产品完成首次全掩模工程流片费用50%的比例给予资金支持(流片费包括:ip授权费、掩模版费、测试化验加工费)。

单一企业年度支持总额最高不超过1000万元。

同时,还对晶圆制造企业给予支持。对集成电路制造企业开放产能为企业代工流片的,按照每片(折合8英寸片)100元的标准给予资金支持。

单一企业年度支持总额最高不超过1000万元。(将有利于华润微电子重庆)

2016年3月南京市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持

对集成电路设计企业开展的符合一定条件的工程产品首轮流片,按照该款产品掩模版制作费用的60%或首轮流片费用的30%支持。

单一企业年度支持总额最高不超过100万元。

5.1浦口区

2019年3月南京浦口区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对于首次完成全掩模工程产品流片或开展多项目晶圆首轮流片的集成电路设计企业,叠加市级奖补给予直接费用最高不超过60%的支持;对再次完成全掩模工程产品流片的,给予直接费用最高不超过50%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过600万元。

2018年2月无锡出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对拥有自主知识产权,且对工艺制程达到一定节点的产品进行工程流片(含mpw)的设计企业,择优最高按照该款产品首轮流片(含ip授权、掩模制版)费用的40%给予支持;对在本地生产企业掩模流片的,择优最高按首轮流片费用的60%给予支持。

工艺制程为45nm以上的,单一企业年度支持总额最高不超过300万元。

工艺制程达到45nm及以下的,单一企业年度支持总额最高不超过600万元。

2019年苏州工业园区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对集成电路设计企业拥有自主知识产权的产品进行首轮流片(mpw或工程流片)产生的费用,给予最高50%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过300万元。

对注册在园区的集成电路制造、封装测试等企业,为园区集成电路设计企业提供流片、封装、测试服务的,给予实际服务金额10%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过100万元。(将有利于和舰芯片制造、晶方半导体)

2018年6月昆山市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对ic设计企业开展的符合一定条件的工程产品首轮流片,按该产品掩模制版费用的60%或首轮流片费用的30%给予支持。

单一产品年度支持总额最高不超过200万元;单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

2017年11月南通港闸区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对集成电路设计企业用于研发的多项目晶圆(mpw),可享受多项目晶圆(mpw)直接费用70%的支持、工程片试流片加工费40%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过300万元,连续支持3年。

2019年5月常州武进区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对工程流片(含mpw)的设计企业,最高按照该款产品首轮流片(含ip授权、掩模制版)费用的50%给予支持。

工艺制程40nm以上产品支持总额不超过300万元,工艺制程达到40nm-28nm(不含28nm)产品支持总额不超过500万元,工艺制程达到28nm及以下产品支持总额不超过800万元。

单一企业年度支持总额最高不超过1000万元。

2018年7月杭州市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对进行重点支持领域工程产品流片的集成电路企业,给予其该款产品掩模版制作费用的50%或首轮流片费用的30%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过300万元。

11.1杭州高新区

2019年11月杭州高新区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对进行重点支持领域工程产品流片的集成电路企业,给予其该款产品掩模版制作费用的50%或首轮流片费用的30%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过600万元。

2019年2月宁波高新区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对区内集成电路设计、制造企业进行工程流片的费用,按照当年实际发生额给予50%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

2018年绍兴越城区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对在本区集成电路生产企业进行重点支持领域的工程产品流片的设计企业,按该款产品掩模版制作费用的60%或者首轮流片费用的30%给予研发支持。

单一企业年度支持总额最高不超过300万元。

2018年6月海宁市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

鼓励集成电路设计企业开展符合一定条件的工程产品首轮流片,按照该款产品掩模版制作费用的60%或首轮流片费用的30%给予支持。

最高不超过200万元研发支持。

单一产品年度支持总额最高不超过200万元;同一企业每年支持上限为500万元。

2019年2月青岛红岛经济区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对注册在红岛的独立法人公司或商及税务注册地迁至红岛经济区的公司,按照产品掩模版制作费用的60%或首轮流片费用的40%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过150万元,连续支持3年。

2018年4月合肥市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

集成电路设计企业参加mpw项目(多项目晶圆项目,含单企业mpw),同一设计型号首轮流片、再次流片分别按50%、30%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过300万元。

企业进行工程流片,按照工程型号产品掩模版制作费用或首轮流片费用的30%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

16.1合肥高新区

2018年8月合肥高新区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对集成电路设计企业产品流片(含掩模版等)费用的30%及从第三方购买ip(含foundry的ip模块)费用的30%予以支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

2019年7月芜湖市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

微电子设计企业参与研发的多项目晶圆(mpw),可享受最高不超过mpw直接费用70%(高校或科研院所mpw直接费用80%)、工程片试流片加工费30%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

本地微电子设计企业利用本地芯片生产线流片,按首次工程流片费用(含ip授权或购置、掩模版制作、流片等)的40%给予支持。(芜湖本地芯片生产线在哪里)

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

2018年9月广州黄埔区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

企业研发多项目晶圆(mpw)流片的,按直接费用的80%给予支持;企业购买光罩、研发全掩模(full mask)流片的,按直接费用的40%给予支持;企业研发工程片、试流片的,按加工费用的30%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过600万元。

2019年4月深圳市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对于使用多项目晶圆进行研发的设计企业,给予多项目晶圆直接流片费用最高70%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过300万元。

对于首次完成全掩模工程产品流片的企业,给予流片费用最高50%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

19.1坪山区

2019年5月坪山区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对集成电路设计企业参加多项目晶圆(mpw)项目,按多项目晶圆(mpw)直接费用的80%进行支持;高校或科研院所参加多项目晶圆(mpw)项目的,按多项目晶圆(mpw)直接费用的90%进行支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

对利用坪山区晶圆制造企业开展多项目晶圆(mpw)的集成电路设计企业,按多项目晶圆(mpw)直接费用的80%进行支持;对利用坪山区晶圆制造企业开展多项目晶圆(mpw)的高校或科研院所,按多项目晶圆(mpw)直接费用的90%进行支持。

单一企业年度支持总额最高不超过400万元的资助。(有利于中芯国际深圳)

对集成电路设计企业首次工程流片进行资助,按首次工程流片费用(含ip授权或购置、掩模版制作、流片等)的30%进行支持。

单一企业年度支持总额最高不超过300万元。

对利用坪山区企业集成电路生产线流片的,按首次流片费用的60%进行支持。

单一企业年度支持总额最高不超过600万元。(有利于中芯国际深圳)

19.2龙岗区

2019年7月龙岗区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

给予不超过上一年多项目晶圆(mpw)流片(含掩模版)实际发生金额、单个项目最高100万元扶持,单一企业年度支持总额最高不超过300万元。

于完成小于90nm全掩模(full mask)工程产品流片的项目,给予不超过流片费用(含掩模版),其中,工艺制程小于90nm、大于45nm(不含)的,单个项目最高扶持50万元,小于45nm、大于28nm(不含)的,单个项目最高扶持200万元,小于28nm的,单个项目最高扶持300万元;同一项目只扶持1次。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

2019年1月珠海高新区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

集成电路设计企业在参加多项目晶圆(mpw)、工程片试流片阶段,市财政对企业多项目晶圆(mpw)直接费用给予最高70%的支持,区财政再给予10%的支持;市财政对企业首次工程片流片加工费(含ip授权或购置、掩模版制作、流片等)给予最高30%的支持,区财政再给予20%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过600万元(其中区财政不超过200万元)。

2017年12月东莞松山湖高新技术产业开发区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

购买多项目晶圆(mpw)项目费用,给予50%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过100万元。

购买光罩(mask)费用,给予30%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过150万元。

2017年9月福州高新区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对ic设计企业参加多项目晶圆(mpw)项目,采用180nm以上工艺,给予mpw直接费用40%支持;采用180nm及以下工艺,给予mpw直接费用45%;对企业在本地代工厂采用90nm及以下工艺,给予mpw直接费用50%支持;成立不足3年的企业申请首件mpw支持,最高给予mpw直接费用80%支持。(实在不知福州本地代工厂有90nm及以下工艺)

单一企业年度支持总额最高不超过100万元。

2016年6月厦门市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。2018年10月进行了修订、增补。

用于研发的集成电路企业多项目晶圆(mpw),按照不高于多项目晶圆(mpw)直接费用70%进行资助,针对硅cmos工艺最小线宽≤55nm、gaas mmic工艺最小线宽≤250nm等两类先进工艺,按照不高于多项目晶圆(mpw)直接费用80%进行资助;用于研发的集成电路企业工程片试流片按照不高于其加工费30%进行资助,针对硅cmos工艺最小线宽≤55nm、gaas mmic工艺最小线宽≤250nm等两类先进工艺,工程片试流片按照不高于其加工费40%进行支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

同时政策规定,本地集成电路企业利用本地集成电路生产线流片,按首次工程流片费用(含ip授权或购置、掩模版制作、流片等)的40%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

23.1厦门海沧区

2017年6月22日厦门海沧区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

利用厦门集成电路生产线流片,按首次工程流片费用(含ip授权或购置、掩模版制作、流片等)的50%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过600万元。

2018年8月泉州市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

按mpw直接费用的80%给予支持;企业参加工程流片项目,对同一流片项目工程流片费用给予50%支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

2016年10月晋江市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持,2019年5月对政策进行了修订、增补,于2019年6发布修订版。

对采用多项目晶圆技术的集成电路设计企业,按mpw直接费用的80%(高校或科研院所按90%)给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过400万元。

对采用全掩模工程片流片的,按照其每款产品首次工程流片费用(掩模版费及流片加工费)的30%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过400万元。

对利用晋华集成电路生产线流片的企业,按首次工程流片费用(含ip授权或购置费、掩模版费及流片加工费等)的40%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

2018年12月莆田市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对集成电路设计企业,按照mpw流片费用80%支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

对集成电路设计企业,首轮工程流片按照流片费用的50%支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

2019年8月武汉东湖新技术开发区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对进行工程产品流片的集成电路企业,按照掩模版制作费用的50%或首轮流片费用的30%给予支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

2019年9月20日长沙市出台政策对多项目晶圆(mpw)和首轮流片进行支持。

对企业的多项目晶圆(mpw)试流片、全掩模(full mask)工程产品首次流片、购买ip核费用,给予实际发生额的60%、50%、50%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

2018年3月成都市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持.

对于首次完成全掩膜(full mask)工程产品流片的企业,给予流片费用最高10%、年度总额不超过500万元的补贴;对于进行化合物半导体全掩膜首轮验证性流片的企业,给予流片费用最高50%、年度总额不超过500万元的补贴;对于使用多项目晶圆(mpw)流片进行研发的企业(单位),给予mpw直接费用最高40%、年度总额不超过100万元的补贴。

2018年6月发布政策实施细则。

对于使用多项目晶圆(mpw)流片进行研发的企业,给予多项目晶圆(mpw)直接费用最高40%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过100万元。

本市ic设计企业工程产品在本市企业完成首轮全掩模(full mask)工程产品流片,达到可以提供给集成电路系统整机厂商的芯片示范应用水准,首轮流片费用累计在4000万元以上(含4000万元),给予ic设计企业流片费用10%的支持;首轮流片费用累计在2000万元以上但小于4000万元(含2000万元、不含4000万元),给予ic设计企业流片费用7%的支持;首轮流片费用累计小于2000万元(不含2000万),给予ic设计企业流片费用5%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

非本市ic设计企业工程产品委托本市集成电路制造企业完成首轮全掩模(full mask)工程产品流片,达到可以提供给集成电路系统整机厂商的芯片示范应用水准,给予本地集成电路制造企业代工的流片费用2%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

本市ic设计企业委托非本市集成电路制造企业完成首轮全掩模(full mask)工程产品流片,达到可以提供给集成电路系统整机厂商的芯片示范应用水准,给予ic设计企业流片费用总额1.5%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过50万元。

对于提供化合物半导体全掩模首轮验证性无偿试流片的本市代工企业,首轮流片成本费用累计在900万元以上(含900万元),给予代工企业流片成本费用50%的支持;首轮流片成本费用累计300万元以上、小于900万元(含300万元,不含900万元),给予代工企业流片成本费用20%的支持;首轮流片成本费用小于300万元(不含300万元),给予代工企业流片成本费用10%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过500万元。

对于在本市进行化合物半导体全掩模首轮验证性有偿试流片的本市ic设计企业,首轮流片费用累计在1000万元以上(含1000万元),给予ic设计企业流片费用10%的支持;首轮流片费用累计在500万元以上、小于1000万元(含500万元、不含1000万元),给予ic设计企业流片费用7%的支持;首轮流片费用累计小于500万元(不含500万元),给予ic设计企业流片费用5%的支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

2016年5月贵阳市出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对开展工程产品首轮流片的集成电路设计企业,按照该款产品掩模版制作费用的20%或首轮流片费用的20%予以资金支持。

单一企业年度支持总额最高不超过200万元。

2018年2月西安国家自主创新示范区出台政策对多项目晶圆(mpw)和全掩模流片进行支持。

对于集成电路产品设计企业,按照企业初次流片实际费用的50%予以支持。

单一企业年度支持总额最高不超过50万元。

分析:

1、对工艺有明确要求,以提升本地设计工艺技术。上海明确规定支持的是45纳米及以下工艺,由于45纳米及以下费用较高,所以支持额度高达1500万元。无锡对工艺也有明确规定,如工艺制程为45纳米以上的,单一企业年度支持总额最高不超过300万元;而工艺制程达到45nm及以下的,单一企业年度支持总额最高不超过600万元。厦门则针对硅cmos工艺最小线宽≤55nm、gaas mmic工艺最小线宽≤250nm等两类先进工艺,给予更大支持。而常州对工艺要求更甚。工艺制程40nm以上产品支持总额不超过300万元,工艺制程达到40nm-28nm(不含28nm)产品支持总额不超过500万元,工艺制程达到28nm及以下产品支持总额不超过800万元,单一企业年度支持总额最高不超过1000万元。

2、在流片支持条款中明确要支持本地晶圆制造企业。上海、重庆、苏州、芜湖、深圳、晋江、成都都规定对利用本地晶圆制造企业开展多项目晶圆(mpw)和全掩膜流片给予更大支持,这对中芯国际、华虹集团、华润微电子重庆、和舰芯片制造、晋华集成、海威华芯是利好,也将极大促进当地制造企业的发展。

3、大部分城市的流片补贴只是流于形式,为了招商工作而写,多是给出一个补贴比例和最高补贴限额,无外乎就是比哪个城市支持的金额更大,而对工艺等没有具体要求,造成鱼龙混杂,对真正进行高端先进ic设计的公司不利。

如果一个城市招商,只是靠政策恐怕不会长远;一个企业落户只是看补贴,估计这种企业也不会长久。

注:多项目晶圆(multi project wafer,简称mpw):就是将多种具有相同工艺的集成电路设计放在同一个硅圆片上、在同一生产线上流片,制造完成后,每个设计项目可以得到数十片芯片样品,这一数量足够用于设计开发阶段的实验、测试。而实验费用就由所有参加多项目晶圆的项目按照各自所占的芯片面积分摊,极大地降低了产品开发风险。这就很象我们都想吃巧克力,但是我们没有必要每个人都去买一盒,可以只买来一盒分着吃,然后按照各人吃了多少付钱。多项目晶圆提高了设计效率,降低了开发成本,为设计人员提供了实践机会,并促进了集成电路设计成果转化,对ic设计人才的培训,及新产品的开发研制均有相当的促进作用。

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